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J-GLOBAL ID：200903098737529571

半導体製造装置のリークガス検出方法及びその装置

Inventor： 中村 直人
Applicant, Patent owner： 国際電気株式会社
Agent (1)： 三好 祥二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993182021
Publication number (International publication number)：1995012670
Application date： Jun. 28, 1993
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】半導体製造装置のガス流通系でのリーク検出で、塩酸、水素等の反応性ガスを流すことなく接続箇所のガスリークを検出することができる様にする。【構成】反応室に非反応ガスを流通させ、非反応ガス中の大気成分の有無を検出し、非反応ガス中に大気成分が検出されれば、ガス流通系の接続箇所より大気が混入していることとなり、接続箇所のリーク検出ができる。

Claim (excerpt)：

反応室に非反応ガスを流通させ、非反応ガス中の大気成分の有無を検出することを特徴とする半導体製造装置のリークガス検出方法。

IPC (3)：

G01M 3/04 ,  G01F 1/00 ,  G01M 3/20