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J-GLOBAL ID：200903098746457923
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松本 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993033745
Publication number (International publication number)：1994252452
Application date： Feb. 23, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：
【要約】【目的】 基板の中空部を覆って周辺が基板に支持され、所定パターンの第1薄膜と半導体素子用の半導体薄膜が設けられている第1薄膜の半導体薄膜パターン形成過程での損傷を防止できる構成の半導体装置を提供する。【構成】 この発明の半導体装置は、基板1の中空部8を覆って周辺が基板に支持された第1薄膜2を備え、この第1薄膜の上に所定パターンの第2薄膜3が設けられているとともに所定パターンの半導体薄膜4が第2薄膜の表面領域内で設けられており、第1薄膜は半導体薄膜パターン形成用エッチングに対する耐性を有しない薄膜であり、第2薄膜は半導体薄膜パターン形成用エッチングに対する耐性を有する薄膜であって、かつ、第1薄膜が第2薄膜パターン形成用エッチングに対する耐性を有する薄膜であることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
中空部を有する基板と、この中空部を覆って周辺が基板に支持された第1薄膜とを備え、この第1薄膜の上に所定パターンの第2薄膜が設けられているとともに半導体素子用の所定パターンの半導体薄膜が第2薄膜の表面領域内で設けられており、第1薄膜は半導体薄膜パターン形成用エッチングに対する耐性を有しない薄膜であり、第2薄膜は半導体薄膜パターン形成用エッチングに対する耐性を有する薄膜であって、かつ、第1薄膜が第2薄膜パターン形成用エッチングに対する耐性を有する薄膜である半導体装置。
IPC (4)：
H01L 37/00
, G01J 5/02
, G01K 7/22
, H01L 21/306
