プラズマ加工装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：尾身祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993285756
Publication number (International publication number)：1995122502
Application date： Oct. 21, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】電極上全面に均一の電界がかかるようにしてウエハ上に均等なプラズマを発生させうるようにし、ウエハ全面に均一の加工を施しうるようにする。【構成】真空室9の上部には、内部に上部電極5、ガス噴出板4が配置された絶縁部材6が固定され、絶縁部材6の上部管状部には、ガス・高周波印加管7が挿通される。絶縁部材6の外側には、ガス噴出板4より下へ突出する、円筒状の導電性リング11が固着され、該リング11は接地金具13により接地される。真空室9の下部にはウエハ1が載置される下部電極2が配置される。

Claim (excerpt)：

ガス導入口およびガス排出口を有する真空室内に、高周波電力の供給される平板状の第1の電極と接地された平板状の第2の電極とが対向して配置されているプラズマ加工装置において、前記第1の電極の外側の前記第1の電極と前記第2の電極との間には接地されたリング状の導電体が配置されていることを特徴とするプラズマ加工装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H01L 21/31

FI (2)：

H01L 21/302 C , H01L 21/31 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平2-009115
特開平4-345030
薄膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-350779 Applicant：日本電気株式会社

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