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J-GLOBAL ID：200903098782947333

半導体レーザ素子

Inventor： 田中 俊明
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995194455
Publication number (International publication number)：1997045987
Application date： Jul. 31, 1995
Publication date： Feb. 14, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 導波路や共振器の形成が困難であった窒化物材料において、半導体レ-ザに適する導波路共振構造を形成し、また共振器端面にDBR構造高反射膜を形成して、青紫色波長領域においてより低閾値動作の半導体レ-ザを実現する。【解決手段】 サファイア基板(0001)C面上にGaN材料からなる層3まで結晶成長し、絶縁膜マスク4のパタ-ンを用いて、層5から7までの導波路構造を含みDBR構造高反射膜8までを選択成長する。このとき、導波路構造では、発光活性層が光導波層に埋め込まれた形である実屈折率導波型のBH構造を構成する。DBR構造膜8は、共振器端面高反射膜としてだけではなく、電流狭窄層とフォトンリサイクル用の高反射膜としても働く。この後、電極10及び11を蒸着して、スクライブすることにより図示の素子縦断面を得る。【効果】 DBR構造高反射膜を設けない素子に比べ、閾値電流を1/10から1/15に低減できた。

Claim (excerpt)：

単結晶基板上に設けた発光素子の光導波路構造において、該光導波路を伝搬して導波光が共振する方向に対して、Fabry-Perot共振器となる両端面が該基板に垂直な面により形成されており、かつ該共振器形成の後に両端面にはブラック分布反射型(DBR; Distributed Bragg Reflector)構造からなる高反射膜を設けてあることを特徴とする半導体レーザ素子。