Pat

J-GLOBAL ID：200903098791857258

半導体光センサ

Inventor： 上野 正和 ,  佐藤 則忠 ,  川上 春雄
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993113536
Publication number (International publication number)：1994326347
Application date： May. 17, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】整流素子に逆バイアスを印加して形成する空乏層への光の入射により発生する電子・正孔対を信号電流として取出す半導体光センサの、逆バイアス時のリーク電流を小さくする。【構成】高抵抗率の非晶質カーボン膜を半導体基板上に成膜し、その上に透明電極を、半導体基板の裏面にオーム性電極を設けることにより整流素子を作製することにより、逆バイアス時のリーク電流を小さくし、また保護膜として役立たせる。非晶質カーボン膜はエチルアルコールを原料としたDCプラズマCVD法により成膜する。

Claim (excerpt)：

透光性電極とオーム性電極とを備えた整流素子の半導体基板に、これら両電極に逆バイアスを印加することにより形成された空乏層に光が入射した際に、この空乏層内に生成される電子・正孔対を信号としてとり出すものにおいて、整流素子が半導体基板とその一面上に非晶質カーボン膜を介して透光性電極層を設け、半導体基板の他面上にオーム性電極層を設けてなることを特徴とする半導体光センサ。