Pat
J-GLOBAL ID:200903098796590799

ポジ型レジスト組成物

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小栗 昌平 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002044665
Publication number (International publication number):2003241379
Application date: Feb. 21, 2002
Publication date: Aug. 27, 2003
Summary:
【要約】【課題】超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケーションプロセスに於いて好適に使用することができる、エッジラフネスが著しく改善されたポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】(A)側鎖にアダマンタン構造を有する繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、及び、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。
Claim (excerpt):
(A)下記一般式(I)で表される繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、及び、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。【化1】一般式(I)において、R1は水素原子又はアルキル基を表す。Aは単結合又は連結基を表す。R2はアルキレン基を表す。Xはアルコキシ基又は水酸基を表す。
IPC (3):
G03F 7/039 601 ,  C08F 20/20 ,  H01L 21/027
FI (3):
G03F 7/039 601 ,  C08F 20/20 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (26):
2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100BA03P ,  4J100BA04P ,  4J100BA05P ,  4J100BA06P ,  4J100BA11P ,  4J100BC09P ,  4J100BC53P ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA00 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)

Return to Previous Page