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J-GLOBAL ID：200903098804011108
フラッシュEEPROMアレイのクリーン・アップ方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993293829
Publication number (International publication number)：1994223591
Application date： Nov. 01, 1993
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：
【要約】【目的】フラッシュEEPROMアレイの各部分すなわち各ブロックで行なわれるスイッチング動作の回数の均等化を図る。【構成】 クリーン・アップの対象となるブロックの全ての有効データを他のブロックに書込み、それから、そのブロック全体を消去して、フラッシュEEPROMアレイクリーン・アップする方法において、各ブロックに含まれる無効セクタの数と、各ブロックが受けたスイッチング動作の数との比較に基いて、クリーン・アップするブロックを決定する。
Claim (excerpt)：
有効データおよび無効データが含まれるセクタとしてデータを格納するメモリ・セル・ブロックに分割されており、ブロック毎に消去可能であるフラッシュEEPROMアレイのクリーン・アップにおいて、全ての有効データをアレイの他のブロックに書込み、その後、そのブロック全体を消去して、フラッシュEEPROMアレイクリーン・アップする方法において、各ブロックに含まれる無効セクタの数と、各ブロックが受けたスイッチング動作の数との比較に基いて、クリーン・アップするブロックを決定する過程を有することを特徴とする、フラッシュEEPROMアレイをクリーン・アップする方法。
IPC (6)：
G11C 16/06
, G06F 3/08
, G06F 12/16 310
, H01L 27/115
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 309 F
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (1)
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