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J-GLOBAL ID：200903098810840728

面発光半導体レーザ

Inventor： 駒崎 岩男 ,  山本 英二
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996061508
Publication number (International publication number)：1997260765
Application date： Mar. 18, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】発振モード制御が困難であるとともに、高出力時の偏光面の制御が困難である。【解決手段】GaAs基板(1) 上に、下部ミラー層(2) 、下部半導体クラッド層(3) 、活性層(4) 、上部半導体クラッド層(5) 、上部ミラー層(6) を順に積層した構造を有し、かつこの積層構造に電流を注入する第1,第2の電極(12,13) を備えた面発光半導体レーザにおいて、下部ミラー層(2) 又は、下部半導体クラッド層(3) 、活性層(4) 、上部半導体クラッド層(5) 、上部ミラー層(6) の一部又は全部を、基板面に垂直な軸を有する柱状に形成した柱状部と、前記柱状部の側面に形成された、レーザ光の前記柱状部の側面からの滲みだし光を吸収する光吸収層(8) と、光吸収層(8) と電気的に接続された第3の電極(15)とを具備することを特徴とする面発光半導体レーザ。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、少なくとも下部ミラー層、下部半導体クラッド層、化合物半導体よりなる活性層、上部半導体クラッド層、上部ミラー層を順に積層した構造を有し、かつ、この積層構造に電流を注入する第1,第2の電極を備えた面発光半導体レーザにおいて、前記下部ミラー層又は、前記下部半導体クラッド層、前記活性層、前記上部半導体クラッド層、前記上部ミラー層の一部又は全部を、基板面に垂直な軸を有する柱状に形成した柱状部と、前記柱状部の側面に形成された、レーザ光の前記柱状部の側面からの滲みだし光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層と電気的に接続された第3の電極とを具備することを特徴とする面発光半導体レーザ。