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J-GLOBAL ID：200903098814061197

支持体上に電気伝導性パターンを生成させる方法

Inventor： トム・クルーツ ,  フランク・ルーウエト ,  ロン・アンドリーセン ,  エテイエンヌ・バン・テイロ
Applicant, Patent owner： アグフア-ゲヴエルト・ナームローゼ・フエンノートシヤツプ
Agent (1)： 小田島 平吉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000246191
Publication number (International publication number)：2001101937
Application date： Aug. 15, 2000
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：

【要約】【課題】 支持体上に電気伝導性パターンを生成させる方法を開示する。【解決手段】 前記支持体はポリチオフェン、ポリアニオンおよびジ-もしくはポリヒドロキシ有機化合物を含有するポリマー層を備えさせる。前記層は、104Ω/より高い、より好適には106Ω/より高い値を有する初期表面抵抗(SRi)を示すことを特徴とする。前記ポリマー層の選択した領域を加熱することにより前記領域の表面抵抗をSRi/Δ[ここで、Δは少なくとも10、好適には少なくとも103、より好適には少なくとも105である]にまで低下させる。このようにして得た電気伝導性パターンは電気もしくは半導体装置、例えば印刷回路板、集積回路、ディスプレー、電界発光装置または光電池などを製造するための電子回路として使用可能である。

Claim (excerpt)：

ポリチオフェン、ポリアニオンおよびジ-もしくはポリヒドロキシ有機化合物を含有するポリマー層が備えられいる支持体上に電気伝導性パターンを生成させる方法であって、前記ポリマー層の選択した領域を加熱することで前記ポリマー層の実質的な溶発も分解も起こさせることなく前記選択した領域の前記ポリマー層の表面抵抗(SR)を104Ω/よりも高い初期値SRiからSRi/Δ(ここでΔは少なくとも10である)にまで低下させる方法。

IPC (4)：

H01B 13/00 503 ,  H05K 1/09 ,  H05K 3/10 ,  H01B 5/14

FI (4)：

H01B 13/00 503 D ,  H05K 1/09 D ,  H05K 3/10 C ,  H01B 5/14 B