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J-GLOBAL ID：200903098816840355

半導体光素子及びその製造方法

Inventor： 畠山 大 ,  佐々木 達也
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997264224
Publication number (International publication number)：1999103126
Application date： Sep. 29, 1997
Publication date： Apr. 13, 1999
Summary：

【要約】【課題】 曲線等の任意のストライプ形状を有し、少なくとも部分的には光増幅媒体であるような半導体光導波路を、半導体基板上にパターニングされた一対の誘電体ストライプマスクのマスク空隙部に、有機金属気相化学成長法(MOVPE)により選択的に結晶成長する半導体光素子作製方法(選択MOVPE)により形成する際、該半導体光導波路の結晶組成を導波路の各部で一定にすることができる製造方法を提供する。【解決手段】 選択MOVPEによる素子作製において、閃亜鉛鉱型半導体基板の(100)面上にパターニングする一対の誘電体ストライプマスクのマスク幅及びマスク開口幅を、半導体光導波路のストライプ方向と[011]結晶方位のなす角に応じて変化させることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

少なくとも部分的には光増幅媒体となる光導波路を有し、該光導波路が閃亜鉛鉱型結晶構造を有する半導体基板の(100)面上あるいは(100)面から10度以内の傾斜を持つ基板面上に形成され、該光導波路のストライプ方向が前記基板面上の面内において少なくとも部分的には[011]結晶方位に対して角度を有するような半導体光素子において、前記光導波路が前記半導体基板上に形成された少なくとも1対のストライプ状誘電体薄膜に挟まれた成長領域に有機金属気相化学成長法により選択的に結晶成長する工程により形成される半導体光素子の製造方法であって、前記ストライプ状誘電体薄膜の幅あるい前記成長領域の幅を、前記光導波路のストライプ方向と[011]結晶方位とのなす角に応じて前記光導波路の各部において変化させることを特徴とする半導体光素子の製造方法。