硬化性液状シリコーン組成物および半導体装置

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001329858
Publication number (International publication number)：2003128920
Application date： Oct. 26, 2001
Publication date： May. 08, 2003
Summary：

【要約】【課題】シリコーン硬化物の熱膨張率を小さくするために多量のシリカ微粉末を含有しても、チクソ性による粘度の上昇が抑制され、良好な流動性や含浸性を有する硬化性液状シリコーン組成物、およびこの組成物により半導体素子が被覆されてなる、優れた信頼性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】シリカ微粉末を含有する硬化性液状シリコーン組成物であって、該シリカ微粉末の内部シラノール基の含有量に対する孤立シラノール基の含有量の比が0.01以上であることを特徴とする硬化性液状シリコーン組成物、およびこの組成物により半導体素子が被覆されてなることを特徴とする半導体装置。

Claim (excerpt)：

シリカ微粉末を含有する硬化性液状シリコーン組成物であって、該シリカ微粉末の内部シラノール基の含有量に対する孤立シラノール基の含有量の比が0.01以上であることを特徴とする硬化性液状シリコーン組成物。

IPC (4)：

C08L 83/04 , C08K 3/36 , H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (3)：

C08L 83/04 , C08K 3/36 , H01L 23/30 R

F-Term (18)：

4J002CP041 , 4J002CP141 , 4J002DA117 , 4J002DD077 , 4J002DJ016 , 4J002FD147 , 4J002GQ05 , 4M109AA01 , 4M109BA03 , 4M109CA02 , 4M109CA05 , 4M109CA06 , 4M109DB07 , 4M109EA10 , 4M109EB13 , 4M109EC04 , 4M109EE20 , 4M109GA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

光半導体絶縁被覆保護剤
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-026797 Applicant：ジーイー東芝シリコーン株式会社
硬化性シリコーン組成物およびその硬化物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-034249 Applicant：信越化学工業株式会社
シリコ-ン組成物、それらの製造法及びシリコ-ンエラストマ-
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-305635 Applicant：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション

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