ルテニウム化合物および金属ルテニウム膜の製造法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大島正孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003318133
Publication number (International publication number)：2005060814
Application date： Sep. 10, 2003
Publication date： Mar. 10, 2005
Summary：

【課題】良質の膜状金属ルテニウムを得ることができるルテニウム化合物およびそれを用いて化学気相成長方法により金属ルテニウム膜を製造する方法を提供すること。【解決手段】化学気相成長材料であるルテニウム化合物は、例えば下記式(1)で表される。【化1】【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記式(1)

IPC (7)：

C23C16/18 , C07C11/12 , C07C13/263 , C07C22/02 , C07C53/126 , C07F19/00 , H01L21/285

FI (7)：

C23C16/18 , C07C11/12 , C07C13/263 , C07C22/02 , C07C53/126 , C07F19/00 , H01L21/285 C

F-Term (23)：

4H006AA01 , 4H006AA03 , 4H006AB90 , 4H006BS10 , 4H049VN01 , 4H049VP01 , 4H049VQ02 , 4H049VQ05 , 4H049VR24 , 4H049VU24 , 4H050AA01 , 4H050AA03 , 4H050AB90 , 4H050WB11 , 4H050WB21 , 4K030AA11 , 4K030BA01 , 4K030CA04 , 4K030FA10 , 4K030LA15 , 4M104BB04 , 4M104DD43 , 4M104DD45

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-141222 Applicant：株式会社東芝
金属電極用のルテニウム膜の化学気相堆積
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-236841 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
化学気相蒸着用のルテニウム化合物並びにルテニウム薄膜及びルテニウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-012943 Applicant：田中貴金属工業株式会社

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