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J-GLOBAL ID：200903098829674624

半導体装置の製造方法

Inventor： 村田 正博
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994311539
Publication number (International publication number)：1996167582
Application date： Dec. 15, 1994
Publication date： Jun. 25, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し、フリップチップ・タイプICのダイシング以後の工程の簡単化を目的とする。【構成】 はんだバンプを設けた半導体デバイスが形成してあるウェーハを、ウェーハに設けてあるスクライブラインに沿ってダイシングし、個々のチップに分離する半導体装置の製造方法において、ウェーハ上にはんだフラックスを被覆し、はんだバンプを埋めて硬化させた状態で、ウェーハをダイシングした後、溶剤洗浄によりフラックスを除去することを特徴として半導体装置の製造方法を構成する。

Claim (excerpt)：

はんだバンプを設けた半導体デバイスが形成してあるウェーハを、該ウェーハに設けてあるスクライブラインに沿ってダイシングし、個々のチップに分離する半導体装置の製造方法において、該ウェーハ上にはんだフラックスを被覆し、前記はんだバンプを埋めて硬化させた状態で、該ウェーハをダイシングした後、溶剤洗浄により前記フラックスを除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/301 ,  H05K 3/34 503

FI (2)：

H01L 21/78 L ,  H01L 21/78 P