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J-GLOBAL ID：200903098835156813

有機物の除去方法

Inventor： 川▲崎▼ 裕通 ,  小泉 浩太郎 ,  藤戸 利昭 ,  恒川 助芳 ,  野尻 一男 ,  笹部 俊二
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997012226
Publication number (International publication number)：1998209132
Application date： Jan. 27, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】ウェハ上のフッ素を含む有機物のオゾンを用いたアッシングにおいて、残存フッ素量を低減し、被処理ウェハ表面の濡れ性の劣化を防止する。【解決手段】ウェハ表面上のポリマに対するオゾンを含むアッシングガスによる処理と同時に、ウェハを少なくともポリマからフッ素を含むガスが離脱する温度に加熱するかまたはポリマの結合エネルギ以上のフォトンエネルギを含む紫外光を照射する。

Claim (excerpt)：

表面にポリマが形成された有機物のオゾンガスを用いた除去方法において、ポリマが被処理表面から脱離する温度以上で処理することを特徴とする有機物の除去方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 572 A