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J-GLOBAL ID：200903098837861182

半導体レーザ装置及びその作製方法

Inventor： 後藤 順 ,  百瀬 正之 ,  大家 彰 ,  中塚 慎一 ,  右田 雅人
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994170703
Publication number (International publication number)：1995321419
Application date： Jul. 22, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：

【要約】【目的】 II-VI族化合物半導体からなる短波長半導体レーザ装置及びその作成方法を提供する。【構成】 II-VI族化合物半導体からなる埋込型半導体レーザ装置において、埋込層9,10,11として、そのレーザ装置の活性層6よりも低い屈折率を有するII-VI族化合物を用いる。その埋込層はレーザ装置の活性層よりも大きな禁制帯幅を有する。また、その埋込層はレーザ装置を成長した基板の格子定数にほぼ格子整合する組成とし、そして、n型クラッド層4-活性層6-p型クラッド層7からなるレーザの動作に、影響を及ぼさないだけ十分に電気的抵抗の高いものとする。【効果】 短波長II-VI族化合物半導体レーザの低閾電流化が可能となり、また、電極の接触抵抗の低減が可能となり、高信頼性を有するレーザ素子が得られる。

Claim (excerpt)：

II-VI族化合物半導体からなる埋込型半導体レーザ装置において、埋込層として、そのレーザ装置の活性層よりも低い屈折率を有するII-VI族化合物を用いることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00