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J-GLOBAL ID：200903098845458729
光電変換装置及びそれを用いた光センサ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994326441
Publication number (International publication number)：1996153888
Application date： Dec. 27, 1994
Publication date： Jun. 11, 1996
Summary：
【要約】【目的】 極めて単純な構成で分光感度特性が光活性層に印加するバイアス電圧にしたがって変化させることが可能な優れた光電変換装置及びそれを用いた光センサを提供すること。【構成】 少なくとも受光面電極層1、光活性層2、及び裏面電極層3を順次積層して成り、光活性層2に受光面電極層1及び裏面電極層3を介して電圧を印加するように成した光電変換装置Sであって、光活性層2は少なくとも一つのポテンシャル障壁が形成されるようにバンドギャップエネルギーが異なる複数の半導体層を積層せしめて形成されて、光活性層2に印加する電圧の変化に応じてポテンシャル障壁の大きさを変えることにより分光感度特性を変化させるように成したことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
少なくとも受光面電極層、光活性層、及び裏面電極層を順次積層して成り、前記光活性層に受光面電極層及び前記裏面電極層を介して電圧を印加するように成した光電変換装置であって、前記光活性層は少なくとも一つのポテンシャル障壁が形成されるようにバンドギャップエネルギーが異なる複数の半導体層を積層せしめて形成されていることを特徴とする光電変換装置。
FI (2)：
H01L 31/10 D
, H01L 31/10 A
Cited by examiner (10)
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