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J-GLOBAL ID：200903098847687717

化学増幅ポジ型レジスト材料

Inventor： 大澤 洋一 ,  渡辺 聡 ,  及川 勝之 ,  田中 啓順 ,  河合 義夫 ,  中村 二朗
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社 ,  日本電信電話株式会社
Agent (1)： 小島 隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994329914
Publication number (International publication number)：1996160606
Application date： Dec. 05, 1994
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【構成】 一般式(1)で示される新規スルホニウム塩を含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。(式中、R1は水素原子、アルキル基又はアルコキシ基を示し、Yはトリフルオロメタンスルホネート又はp-トルエンスルホネートを示す。nは0〜2の整数、mは1〜3の整数で、n+m=3である。)【効果】 遠紫外線、電子線、X線等の高エネルギー線、特にKrFエキシマレーザーに対して高い感度を有し、アルカリ水溶液で現像することによりパターン形成でき、感度、解像度、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性にも優れている化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される新規スルホニウム塩を含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】(式中、R1は水素原子、アルキル基又はアルコキシ基を示し、Yはトリフルオロメタンスルホネート又はp-トルエンスルホネートを示す。nは0〜2の整数、mは1〜3の整数で、n+m=3である。)

IPC (5)：

G03F 7/004 503 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027