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J-GLOBAL ID：200903098862982440

光学素子及びその作製方法

Inventor： 雲見 日出也 ,  米原 隆夫
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992016522
Publication number (International publication number)：1993218494
Application date： Jan. 31, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 シリコン系半導体回路と同一基板上にモノリシックに形成することが可能な光学素子およびその作製方法を提供する。【構成】 SiO<SB>x</SB> (0<x<2)を成分として含む光学素子。この光学素子は、シリコンの表面に運動エネルギーの高い酸素原子または酸素分子を照射することによって、前記シリコン中に酸素を注入する過程と、酸素が注入されたシリコンを熱処理することによって酸素とシリコンとを結合させ、SiO<SB>x</SB> (0<x<2)を形成する過程とから成る方法によって作製される。

Claim (excerpt)：

シリコン表面に運動エネルギーの高い酸素原子または酸素分子を照射した後、熱処理することによって形成されたSiO<SB>x</SB> (0<x<2)を成分として含む光学素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-093176
  
• 特開昭48-103281