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J-GLOBAL ID:200903098869316518

III族窒化物結晶の作製装置およびIII族窒化物結晶の作製方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006147066
Publication number (International publication number):2007317949
Application date: May. 26, 2006
Publication date: Dec. 06, 2007
Summary:
【課題】反応管内のガス供給口近傍におけるIII族窒化物の析出が抑制されてなるIII族窒化物の作製装置を提供する。【解決手段】作製装置10の供給系14は、三層構造の供給管を形成するように構成されてなる。供給管14aからは、金属Alと第1ガスg1中のHClガスとの反応で生成するAlClxガスを供給する。供給管14bからはNH3ガス含む第2ガスg2を供給する。供給管14cからは、第3ガスg3としてAlClxとNH3との反応によるAlNの生成を抑制するガス(例えばN2ガス)を供給する。供給管14aの端部14e近傍の領域において、サセプタ12側へと供給されるAlClxガスを取り囲むように第3ガスg3の流れが形成されるので、当該領域においてAlClxガスとNH3ガスとが反応することが抑制され、結果として、端部14eへのAlNの析出が効果的に抑制される。【選択図】図1
Claim (excerpt):
反応管内でIII族元素のハロゲン化物含有ガスと窒素元素含有ガスとを気相反応させることによって基板の上にIII族窒化物結晶を作製する装置であって、 前記反応管内に一方端部が位置するように前記反応管に挿通されてなるハロゲン化物含有ガス導入管を通じて前記ハロゲン化物含有ガスを前記反応管内に供給するハロゲン化物含有ガス供給手段と、 前記窒素元素含有ガスを前記反応管内に供給する窒素元素含有ガス供給手段と、 前記III族窒化物の形成を補助するための補助ガスを供給する補助ガス供給手段と、 を備え、 前記ハロゲン化物含有ガス導入管から供給される前記ハロゲン化物含有ガスが前記基板近傍に向けて整流されるように前記補助ガスを供給する、 ことを特徴とするIII族窒化物結晶の作製装置。
IPC (5):
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/14 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/455
FI (5):
H01L21/205 ,  C30B29/38 C ,  C30B25/14 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455
F-Term (39):
4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077DB05 ,  4G077DB06 ,  4G077DB21 ,  4G077EA06 ,  4G077HA01 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TB03 ,  4G077TB13 ,  4G077TD06 ,  4G077TE02 ,  4G077TG04 ,  4G077TH06 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA38 ,  4K030EA03 ,  4K030EA04 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030HA15 ,  4K030KA02 ,  4K030LA14 ,  5F045AA03 ,  5F045AB09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AD18 ,  5F045BB15 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ06 ,  5F045EE20 ,  5F045EF01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1) Cited by examiner (2)

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