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J-GLOBAL ID：200903098883933856

バルクへテロ接合型光電変換素子、光センサアレイおよび放射線画像検出器

Inventor：
増田 敏

About 増田 敏

, 
泉 倫生

About 泉 倫生


Applicant, Patent owner：
コニカミノルタホールディングス株式会社

About コニカミノルタホールディングス株式会社


Agent (4)： 小谷 悦司 ,  伊藤 孝夫 ,  樋口 次郎 ,  櫻井 智
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007044492
Publication number (International publication number)：2008210889
Application date： Feb. 23, 2007
Publication date： Sep. 11, 2008
Summary：
【課題】本発明は、加熱された場合でも、光電変換効率の劣化をより抑制し得るバルクへテロ接合型光電変換素子、光アレイセンサおよび放射線画像検出器を提供する。【解決手段】本発明では、P型半導体材料とN型半導体材料とを混合したバルクヘテロ層を備えるバルクへテロ接合型光電変換素子10において、前記P型半導体材料および前記N型半導体材料のうち、融点の低い半導体材料が予め設定された光電変換率を与える混合比よりもリッチであることを特徴とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
P型半導体材料とN型半導体材料とを混合したバルクヘテロ層を備えるバルクへテロ接合型光電変換素子において、 前記P型半導体材料および前記N型半導体材料のうち、融点の低い半導体材料が予め設定された光電変換率を与える混合比よりもリッチであること を特徴とするバルクへテロ接合型光電変換素子。
IPC (3)：
H01L 31/10 ,  H01L 31/09 ,  H01L 27/14
FI (3)：
H01L31/10 A ,  H01L31/00 A ,  H01L27/14 K
F-Term (35)：
4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA02 ,  4M118CA03 ,  4M118CA40 ,  4M118CB11 ,  4M118CB14 ,  4M118FB03 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB24 ,  5F049MA20 ,  5F049MB08 ,  5F049NA07 ,  5F049NB05 ,  5F049RA02 ,  5F049SE03 ,  5F049SE04 ,  5F049SE05 ,  5F049SS01 ,  5F049TA03 ,  5F049TA20 ,  5F049WA07 ,  5F088AA02 ,  5F088AB11 ,  5F088BA13 ,  5F088BB03 ,  5F088BB07 ,  5F088EA04 ,  5F088FA03 ,  5F088FA04 ,  5F088FA05 ,  5F088HA15 ,  5F088JA03 ,  5F088LA07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

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