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J-GLOBAL ID：200903098903015620

固体撮像装置

Inventor： 穂苅 泰明
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 岩佐 義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993308947
Publication number (International publication number)：1995161958
Application date： Dec. 09, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】 固体撮像装置のスミア電荷を抑制するとともに、光電変換効率を向上する。【構成】 フォトダイオードとなるN型不純物領域が、濃度が低くかつ深い位置に形成された第1の不純物領域131と、これよりも濃度が高くかつ浅い位置に形成された第2の不純物領域132とから構成され、前記第1の不純物領域131が素子を分離するべく設けられたP型不純物領域24の底部に、およびフォトダイオードから電荷を読出すトランジスタのゲート領域26の底部に延在して設ける。また不純物領域131の不純物濃度は132よりも薄く設けられる。

Claim (excerpt)：

フォトダイオードとなる第1の導電型の不純物領域が、濃度が低くかつ深い位置に形成された第1の不純物領域と、これよりも濃度が高くかつ浅い位置に形成された第2の不純物領域とから構成され、前記第1の不純物領域が素子を分離するべく設けられた第2の導電型の不純物領域の底部に、およびフォトダイオードから電荷を読出すトランジスタのゲート領域の底部に延在して設けられていることを特徴とする固体撮像装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-135389
  
• 固体撮像素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-016964   Applicant：ソニー株式会社
• 固体撮像装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-241005   Applicant：松下電子工業株式会社