高分子化合物及びポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004215914
Publication number (International publication number)：2005133067
Application date： Jul. 23, 2004
Publication date： May. 26, 2005
Summary：

【課題】高エネルギー線での露光において、高感度で高解像性を有し、また、現像時の膨潤が抑えられるためラインエッジラフネスが小さく、現像後の残渣が少ないポジ型レジスト材料を提供する。【解決手段】少なくとも、下記一般式(1a)で示される繰り返し単位と、下記一般式(1b)で示される繰り返し単位及び/又は下記一般式(1c)で示される繰り返し単位とを有する高分子化合物、およびこれをベース樹脂として配合したポジ型レジスト材料。【化46】【選択図】なし

Claim (excerpt)：

少なくとも、下記一般式(1a)で示される繰り返し単位と、下記一般式(1b)で示される繰り返し単位及び/又は下記一般式(1c)で示される繰り返し単位とを有する高分子化合物。

IPC (4)：

C08F220/18 , G03F7/033 , G03F7/039 , H01L21/027

FI (4)：

C08F220/18 , G03F7/033 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

F-Term (34)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA04 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CC03 , 2H025CC04 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100BA03Q , 4J100BA03R , 4J100BA11Q , 4J100BC07P , 4J100BC08R , 4J100BC12P , 4J100BC15P , 4J100BC52Q , 4J100BC58Q , 4J100CA05 , 4J100DA39 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

特公平2-27660号公報
特開昭63-27829号公報
レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-050264 Applicant：富士通株式会社

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Cited by examiner (1)

ポジ型レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-339439 Applicant：富士写真フイルム株式会社

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