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J-GLOBAL ID：200903098914697340

レジストパターン形成方法

Inventor： 田中 稔彦 ,  森上 光章
Applicant, Patent owner： 株式会社ソルテック
Agent (1)： 吉原 省三 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992129326
Publication number (International publication number)：1993299336
Application date： Apr. 23, 1992
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 微細なレジストパターンやアスペクト比の高いレジストパターンを形成する場合に、パターン倒れの発生を有効に防止せんとするものである。【構成】 レジストパターン2a、2b現像時のリンス工程で、現像液の処理を受けたレジストの表面とリンス液5との接触角θが60〜120°の範囲となる様にして、リンス処理を行なう。

Claim (excerpt)：

レジストパターン現像時のリンス工程で、現像液の処理を受けたレジストの表面とリンス液との接触角が60〜120°の範囲となる様にしてリンス処理を行なうことを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/32 501