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J-GLOBAL ID：200903098919958010

ルミネセンス変換エレメントを備えた光放出半導体素子

Inventor： ヘルベルト ブルナー ,  アレクサンドラ デブライ ,  ハラルト イェーガー ,  ギュンター ヴァイトル
Applicant, Patent owner： オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001579375
Publication number (International publication number)：2003532299
Application date： Apr. 26, 2001
Publication date： Oct. 28, 2003
Summary：

【要約】本発明は、半導体基体(3)が基体(1)の凹所に配置されている、ルミネセンス変換エレメント(7)を備えている光放出半導体素子に関する。凹所内で半導体基体の周りに小鉢形状の領域が成形されており、該領域はルミネセンス変換エレメント(7)を含んでおりかつ該ルミネセンス変換エレメントが半導体基体を被覆している。小鉢形状の領域は凹所内のくぼみとしてまたはリング形状の囲いとして凹所の基部に成形されている。

Claim (excerpt)：

凹所が設けられている基体(1)と、少なくとも1つの半導体基体(3)と、ルミネセンス変換エレメント(7)とを備えている光放出半導体素子において、前記凹所は小鉢形状に成形されている部分領域を有しており、該部分領域に半導体基体(3)が配置されておりかつルミネセンス変換エレメント(7)が充填されており、ここで該ルミネセンス変換エレメント(7)は、小鉢形状の部分領域を凹所のその他の内部空間に対して区別する境界面を有していることを特徴とする光放出半導体素子。

F-Term (11)：

5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA36 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041DA46 ,  5F041DB09 ,  5F041DC03 ,  5F041EE25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 発光ダイオード及びそれを用いたLED表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-343481   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-101243   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-190582   Applicant：日亜化学工業株式会社
• セラミックスLEDパッケージおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-190533   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 面実装型発光ダイオードおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-193509   Applicant：スタンレー電気株式会社