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J-GLOBAL ID：200903098937914844
面発光型光半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992347302
Publication number (International publication number)：1994196821
Application date： Dec. 25, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】活性層の発光に対する反射率が高いブラッグ反射層を有する面発光型光半導体装置を提供すること。【構成】<111>方向に III族元素の秩序構造を有するアンドープIn<SB>0.5 </SB>Ga<SB>0.5 </SB>P活性層5と、アンドープIn<SB>0.5 </SB>Ga<SB>0.5 </SB>P活性層5の光取り出し面と反対側に領域に設けられ、且つ<111>方向に III族元素の秩序構造を有さないブラッグ反射層3と、n型In<SB>0.5 </SB>Ga<SB>0.5 </SB>P層とn型In<SB>0.5 </SB>Al<SB>0.5 </SB>P層との積層膜を備えている。
Claim (excerpt)：
InGaP又はInGaAsの混晶半導体からなり、<111>方向に秩序構造が形成された活性層と、InGaP又はInGaAsの混晶半導体からなる第1の半導体層とInGaAlP又はInGaAsPの混晶半導体からなる第2の半導体層とを交互に積層してなり、前記活性層の光取り出し面と反対側の領域に設けられ、<111>方向に秩序構造が形成されていない光反射層とを具備してなることを特徴とする面発光型光半導体装置。
IPC (2)：
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