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J-GLOBAL ID：200903098938028236

強誘電体薄膜素子の製造方法、強誘電体薄膜素子及び強誘電体メモリ装置

Inventor： 牛久保 真帆 ,  横山 誠一 ,  松永 宏典
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997041669
Publication number (International publication number)：1998223847
Application date： Feb. 10, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、成膜温度の低温化および短時間化、製造プロセスの簡略化が可能なBi系層状構造化合物からなる強誘電体薄膜素子の製造方法、強誘電体薄膜素子、および強誘電体メモリ素子を提供することを目的としている。【解決手段】 基板上に下部電極、強誘電体薄膜及び上部電極とを順に備える強誘電体薄膜素子の製造方法において、基板上に形成された前記下部電極の表面に強誘電体を構成する金属元素を含む前駆体溶液を塗布する工程(S10)と、塗布された前駆体溶液を加熱して溶媒のみを除去して乾燥する工程(S11)と、乾燥された前駆体を1気圧より低いガス圧力雰囲気中にて加熱して強誘電体薄膜を形成する第1の熱処理工程(S13)と、強誘電体薄膜上に上部電極を形成した後に窒素雰囲気中で加熱する第2の熱処理工程(S15)とを含む。

Claim (excerpt)：

基板上に下部電極、強誘電体薄膜及び上部電極を順に備える強誘電体薄膜素子の製造方法において、(i) 基板上に前記下部電極を形成し、(ii)該下部電極の表面に、強誘電体を構成する金属元素を含む前駆体溶液を塗布し、加熱乾燥し、(iii) 得られた基板に、1気圧より低いガス圧力雰囲気中にて加熱して強誘電体薄膜を形成する第1熱処理工程と、該強誘電体薄膜上に上部電極を形成した後に加熱する第2熱処理工程とを施すことを特徴とする強誘電体薄膜素子の製造方法。

IPC (8)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371