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J-GLOBAL ID：200903098939201420

半導体積層薄膜、電子デバイスおよびダイオード

Inventor： 矢野 義彦 ,  川副 博司
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社 ,  川副 博司
Agent (1)： 石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999030000
Publication number (International publication number)：2000228516
Application date： Feb. 08, 1999
Publication date： Aug. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】 酸化物の薄膜技術とn型半導体を用いて、酸化物の性質を利用した透明の半導体接合を実現し、これを利用したダイオード、薄膜トランジスタなどの電子デバイスを得る。【解決手段】 基板上に、少なくとも、Cuを含む複合酸化物を含有する無機物層と、n型導電性を示すn型半導体酸化物層が積層されている半導体積層薄膜とした。

Claim (excerpt)：

基板上に、少なくとも、Cuを含む複合酸化物を含有する無機物層と、n型導電性を示すn型半導体酸化物層が積層されている半導体積層薄膜。

IPC (5)：

H01L 29/12 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/861 ,  H01L 31/04

FI (6)：

H01L 29/14 ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/91 H ,  H01L 31/04 M

F-Term (21)：

4M104BB36 ,  4M104GG02 ,  4M104GG04 ,  4M104GG05 ,  5F051AA07 ,  5F051AA10 ,  5F051BA16 ,  5F051DA03 ,  5F051FA02 ,  5F051GA02 ,  5F051GA03 ,  5F051GA04 ,  5F110CC01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE07 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG04 ,  5F110GG43 ,  5F110HK07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-169356   Applicant：株式会社リコー