半導体記憶装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石田敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999171303
Publication number (International publication number)：2001006389
Application date： Jun. 17, 1999
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】複数の選択線の一部に欠陥が生じた場合に冗長選択線を用いてシフト冗長を行う機能を備えた半導体記憶装置に関し、半導体チップに発生した3本以上の欠陥選択線を救済してチップ製造の歩留り向上を図ることを目的とする。【解決手段】複数の選択線の一端に位置する2本以上の第1の冗長選択線と、他端に位置する2本以上の第2の冗長選択線と、デコード信号線を選択線や冗長選択線に切替可能に接続する2段の第1および第2のスイッチ部 2-1, 2-2 とを備え、欠陥選択線が生じた場合、第1のスイッチ部にてデコード信号線の1本以上を第1の冗長選択線の方向にシフトさせる第1の切替動作を行うか、第2の冗長選択線の方向にシフトさせる第2の切替動作を行うか、第2のスイッチ部にてデコード信号線の1本以上を第1の冗長選択線の方向にシフトさせる第3の切替動作を行うか、第2の冗長選択線の方向にシフトさせる第4の切替動作を行う。

Claim (excerpt)：

外部から供給されるアドレス信号に基づき、複数のメモリセルから特定のメモリセルを選択してデータの書き込みまたは読み出しを行うための複数の選択線を配置してなる半導体記憶装置において、前記複数の選択線の中で、一方の端に位置する少なくとも2本の第1の冗長選択線、および他方の端に位置する少なくとも2本の第2の冗長選択線と、前記アドレス信号をデコードした複数のデコード信号線を、前記複数の選択線および前記冗長選択線に切替可能に接続するために、少なくとも2段に配置された第1のスイッチ部および第2のスイッチ部とを備え、前記複数の選択線内に欠陥が発生した場合に、前記第1のスイッチ部により、前記デコード信号線の少なくとも1本を前記第1の冗長選択線の方向にシフトさせる第1の切替動作を行うか、または、前記デコード信号線の少なくとも1本を前記第2の冗長選択線の方向にシフトさせる第2の切替動作を行うか、または、前記第1の切替動作と前記第2の切替動作の双方の切替動作を行うようにし、前記第2のスイッチ部により、前記第1の切替動作を行った前記デコード信号線の少なくとも1本を、さらに前記第1の冗長選択線の方向にシフトさせる第3の切替動作を行うか、または、前記第2の切替動作を行った前記デコード信号線の少なくとも1本を、さらに前記第2の冗長選択線の方向にシフトさせる第4の切替動作を行うか、または、前記第3の切替動作と前記第4の切替動作の双方の切替動作を行うか、または、前記第3の切替動作と前記第4の切替動作のいずれの切替動作も行わないようにすることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (6)：

G11C 29/00 603 , G06F 12/16 310 , G06F 13/16 510 , G11C 11/413 , G11C 11/401 , G11C 16/06

FI (6)：

G11C 29/00 603 D , G06F 12/16 310 Q , G06F 13/16 510 D , G11C 11/34 341 C , G11C 11/34 371 D , G11C 17/00 639 A

F-Term (27)：

5B015JJ00 , 5B015KB44 , 5B015KB91 , 5B015NN09 , 5B015QQ15 , 5B018GA06 , 5B018KA14 , 5B018MA32 , 5B018NA02 , 5B018NA03 , 5B018NA06 , 5B018NA10 , 5B018PA03 , 5B018RA13 , 5B024AA15 , 5B024BA18 , 5B024BA29 , 5B024CA17 , 5B025AD02 , 5B025AD13 , 5B025AE00 , 5B060MB02 , 5L106AA01 , 5L106AA02 , 5L106AA10 , 5L106CC12 , 5L106CC17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-205722 Applicant：三菱電機株式会社
欠陥を迂回する方法及びその回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-294881 Applicant：サン・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド
半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-036189 Applicant：株式会社沖マイクロデザイン宮崎, 沖電気工業株式会社

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