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J-GLOBAL ID：200903098962287510

非晶質太陽電池

Inventor： 宮下 武博 ,  小山 正人 ,  芦田 芳徳 ,  福田 信弘
Applicant, Patent owner： 三井東圧化学株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993043597
Publication number (International publication number)：1994260665
Application date： Mar. 04, 1993
Publication date： Sep. 16, 1994
Summary：

【要約】【構成】 非晶質太陽電池のp/i界面層にシリコン系薄膜形成原料を供給してシリコン系薄膜形成を行う成膜工程と該シリコン系薄膜の形成原料の供給を停止して非堆積性のガスの放電雰囲気に曝す改質工程とを繰り返して形成され、かつ、その1回の繰り返しにおいて形成されるシリコン系薄膜の厚みが1〜20nmであり光学的バンドギャップ充分広い全膜厚が100nm以下である半導体薄膜を用いた非晶質太陽電池。【効果】 光学的バンドギャップが広くて光電特性の優れたシリコン系薄膜を用いることにより、非晶質太陽電池の光電特性が改善される。

Claim (excerpt)：

非晶質太陽電池の少なくともp/i界面層に、シリコン系薄膜形成原料を供給してシリコン系薄膜形成を行う成膜工程と、該シリコン系薄膜形成原料の供給を停止して非堆積性のガスの放電雰囲気に曝す改質工程とを繰り返して形成されるシリコン系薄膜を形成し、かつ、該シリコン系薄膜は、その1回の繰り返しにおいて形成される薄膜の厚みが1〜20nmであり、その全膜厚が100nm以下である半導体薄膜であることを特徴とする非晶質太陽電池。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-217014
  
• 特開昭58-064070
  
• 特開平3-200374
  
• 特開昭62-049672