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J-GLOBAL ID：200903098963834204

半導体素子の実装方法

Inventor： 小林 裕明 ,  笠原 愼一 ,  渡邊 広道
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993170743
Publication number (International publication number)：1995029938
Application date： Jul. 12, 1993
Publication date： Jan. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 バンプ付半導体素子の基板への実装方法に関し、仮付け時と本付け時の特性を等しくし且つ本付け工程の短縮で生産性向上を図ることを目的とする。【構成】 片面にバンプが形成されている半導体素子をホットメルト樹脂を介して基板に実装する半導体素子の実装方法であって、バンプ形成面を基板2と対向させた半導体素子1を、バンプ高さを超える厚さのフィルム状ホットメルト樹脂3を介して基板2の対応位置に載置した後、半導体素子1を基板面に押圧しながらフィルム状ホットメルト樹脂3の軟化温度で加熱し、更に該半導体素子1を押圧しながら基板2と共にフィルム状ホットメルト樹脂3の半硬化温度で加熱して基板2に仮付けし、更に該半導体素子1を基板2と共にフィルム状ホットメルト樹脂3の硬化温度で加熱して基板2に本付けして構成する。

Claim (excerpt)：

片面にバンプが形成されている半導体素子をホットメルト樹脂を介して印刷配線板に実装する半導体素子の実装方法であって、バンプ形成面を印刷配線板(2) と対向させた半導体素子(1) を、該バンプ(1b)の高さを超える厚さを持つフィルム状ホットメルト樹脂(3) を介して印刷配線板(2) の対応する位置に載置した後、該半導体素子(1) を印刷配線板面に押圧しながら該印刷配線板(2) と共にフィルム状ホットメルト樹脂(3) の溶融温度以下の軟化温度で加熱し、更に該半導体素子(1) を印刷配線板面に押圧しながら該印刷配線板(2) と共にフィルム状ホットメルト樹脂(3) の溶融温度を超える半硬化温度で加熱して該半導体素子(1) を印刷配線板(2) に仮付けし、該半導体素子(1) を印刷配線板(2) と共にフィルム状ホットメルト樹脂(3) の半硬化温度を超える硬化温度で加熱して該半導体素子(1) を印刷配線板(2) に本付けすることを特徴とした半導体素子の実装方法。

IPC (2)：

H01L 21/60 311 ,  H05K 3/32