Pat

J-GLOBAL ID：200903098969046720

半導体集積回路装置およびその製造方法

Inventor： 馬越 雅士 ,  諏訪内 尚克 ,  荻島 淳史
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997049085
Publication number (International publication number)：1998247664
Application date： Mar. 04, 1997
Publication date： Sep. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】 SOG(スピンオングラス)膜を含む絶縁膜を使って上下の配線間を平坦化した半導体チップをテープキャリアパッケージに封止する工程で生じるボンディングパッドの剥離を防止する。【解決手段】 酸化シリコン膜46、SOG膜47および酸化シリコン膜48の3層膜で構成された層間絶縁膜上に形成したボンディングパッドBPの下層にダミーの配線41C〜41Gを形成し、ボンディングパッドBPの下部の配線41C〜41Gの上部において、同じ材料である酸化シリコン膜46、48同士が直接接触する面積を大きくして膜の接着性を向上させる。

Claim (excerpt)：

半導体チップの主面上に、少なくとも第1酸化シリコン膜と、スピンオングラス膜と、第2酸化シリコン膜との積層膜を含む層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜の上部にボンディングパッドが形成された半導体集積回路装置であって、前記ボンディングパッドの下部には、前記層間絶縁膜を介して複数の配線が所定のピッチで配置されており、少なくとも前記複数の配線の上部の前記スピンオングラス膜が取り除かれていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (8)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (8)：

H01L 21/60 311 R ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/88 T ,  H01L 27/10 621 B ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 681 F ,  H01L 27/10 681 C ,  H01L 29/78 371