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J-GLOBAL ID：200903098970331200

半導体ウェハの製造方法

Inventor： 一 啓文 ,  指谷 利治
Applicant, Patent owner： コマツ電子金属株式会社
Agent (1)： 衞藤 彰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995109906
Publication number (International publication number)：1996274050
Application date： Mar. 29, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：

【要約】【目的】 鏡面加工における面だれをなくし表面(おもて面)の平坦性をより高めることができる半導体ウェハの製造方法を提供する。【構成】 インゴットをスライスする。ウェハの周縁部を面取りする。ウェハの切断面をラッピングする。ラッピングされたウェハの表面(おもて面)もしくは表裏両面をその中央部から周縁部に向けて徐々に肉厚形状に両面研磨により研磨する。ウェハの表面(おもて面)もしくは表裏両面を鏡面仕上げする。ウェハを洗浄する。

Claim (excerpt)：

ウェハの表面(おもて向)もしくは表裏両面を鏡面研磨して得られる半導体ウェハの製造方法において、鏡面加工する工程より前にウェハの表面(おもて面)もしくは表裏両面をその中央部から周縁部に向けて徐々に肉厚形状に加工することを特徴とする半導体ウェハの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 1/00

FI (4)：

H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/304 321 B ,  H01L 21/304 321 M ,  B24B 1/00 A