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J-GLOBAL ID：200903098987247040

単結晶ティップ構造物およびその形成方法

Inventor： ヨアヒム ゲアハルト クラーベス ,  リカルド インダレシオ フエンテス
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994021830
Publication number (International publication number)：1994305898
Application date： Jan. 24, 1994
Publication date： Nov. 01, 1994
Summary：

【要約】【目的】 単結晶ウィスカーを有する単結晶ティップ構造物を、VLS法を使用して1つのプロセスステップで統合された構造物として大量に製造できる方法。【構成】 シリコン基板上に単結晶シリコンまたは単結晶炭化ケイ素からなる単結晶ウィスカーを成長させたい場所を選択し、上記場所に触媒種を置き、上記触媒種を含む上記基板を気相の成分を持つ環境中に置き、気相の上記成分が上記触媒種に付着して液体合金を形成するように上記触媒種を加熱し、上記液体合金から固相の上記成分を上記固相と上記液体合金の境界で沈澱させ、上記固相の上記沈澱が上記基板上の上記場所での単結晶ウィスカーの成長になる。

Claim (excerpt)：

尖らせた先端を備えた単結晶ウィスカーを有する単結晶ティップ構造物。

IPC (3)：

C30B 29/62 ,  C30B 29/06 ,  G01B 21/30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-344406
  
• 特公昭53-043158
  
• 特開昭64-087600
  
• 特開昭64-031003