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J-GLOBAL ID：200903098989504245

磁気抵抗効果素子

Inventor： 野口 伸
Applicant, Patent owner： 日立金属株式会社
Agent (1)： 大場 充
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994003384
Publication number (International publication number)：1995211956
Application date： Jan. 18, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 低磁界で大きな再生出力が得られる磁気抵抗効果素子を提供する。【構成】 磁化方向変化が容易な磁性膜部材とこれに対して磁化方向変化が比較的に困難な磁性膜部材とを非磁性金属膜部材を挟んで対面させ、これら部材に電流を流して非磁性金属膜部材と磁性膜部材との界面におけるスピン依存散乱を利用して外部磁界を検知する磁気抵抗効果素子において、上記磁性膜部材を構成する軟磁性膜部材として組成式:NixFe100-x(40≦x≦60)の合金膜を使用し、該組成式:NixFe100-x(40≦x≦60)の合金膜が上記非磁性金属部材と境界を形成する構成である磁気抵抗効果素子。

Claim (excerpt)：

磁化方向変化が容易な磁性膜部材とこれに対して磁化方向変化が比較的に困難な磁性膜部材とを非磁性金属膜部材を挟んで対面させ、これら部材に電流を流して非磁性金属膜部材と磁性膜部材との界面におけるスピン依存散乱を利用して外部磁界を検知する磁気抵抗効果素子において、上記磁性膜部材を構成する軟磁性膜部材として組成式:NixFe100-x(40≦x≦60)の合金膜を使用し、該組成式:NixFe100-x(40≦x≦60)の合金膜が上記非磁性金属部材と境界を形成する構成であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39