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J-GLOBAL ID：200903099001590342
偏波変調可能な半導体レーザ及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
加藤 一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996245740
Publication number (International publication number)：1998070341
Application date： Aug. 28, 1996
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：
【要約】【課題】実質的に独立に最適化され得るTEモード用半導体レーザ構造とTMモード用半導体レーザ構造を用いて構成され、偏波変調動作範囲の広い比較的低コストな偏波変調半導体レーザである。【解決手段】2個の異なる半導体レーザ構造1、2を導波方向に直列に配置した複合共振器型半導体レーザである。一方の半導体レーザ構造1が、一方の偏波モードの利得が優位な活性領域及び分布帰還型共振器又は分布ブラッグ反射型共振器を有する。他方の半導体レーザ構造2が、他方の偏波モードの利得が優位な活性領域及び分布帰還型共振器又は分布ブラッグ反射型共振器又はファブリペロ型共振器を有する。2つの半導体レーザ構造1、2は導波方向に間隙3を置いて配置される。
Claim (excerpt)：
第1及び第2の偏波モードを共に有し少なくとも活性層と導波層が異なる2個の異なる半導体レーザ構造を導波方向に直列に配置した複合共振器型半導体レーザであって、第1の半導体レーザ構造が、第1の偏波モードに対する利得が第2の偏波モードに対する利得よりも優位な活性領域及び分布帰還型共振器又は分布ブラッグ反射型共振器を有し、第2の半導体レーザ構造が、第2の偏波モードに対する利得が第1の偏波モードに対する利得よりも優位な活性領域及び分布帰還型共振器又は分布ブラッグ反射型共振器又はファブリペロ型共振器を有し、前記第1の半導体レーザ構造と第2の半導体レーザ構造は、第1の偏波モード同士及び第2の偏波モード同士の伝搬定数が夫々ほぼ等しい様に構成されており、前記第1の半導体レーザ構造と第2の半導体レーザ構造は導波方向に間隙を置いて配置されており、前記分布帰還型共振器又は分布ブラッグ反射型共振器のブラッグ波長が前記半導体レーザ構造の利得スペクトルのピーク波長近傍に設定してあり、第1及び第2の半導体レーザ構造の少なくとも一方に注入するキャリアに変調をかけることで前記第1の偏波モードと第2の偏波モードとの間で発振モードをスイッチングさせることを特徴とする偏波変調可能な半導体レーザ。
IPC (3)：
H01S 3/18
, H04B 10/28
, H04B 10/02
