半導体レーザー

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉浦正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992229356
Publication number (International publication number)：1994061580
Application date： Aug. 05, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ZnMgSSe系化合物半導体を用いて青色発光が可能な半導体レーザーを実現する。【構成】 n型GaAs基板1上にn型ZnSeバッファ層2を介してn型ZnMgSSeクラッド層3、ZnSe/ZnMgSSe多重量子井戸層から成る活性層4、p型ZnMgSSeクラッド層5及びp型ZnSeコンタクト層6を分子線エピタキシー法により順次積層する。p側電極にはAu/Pd電極8を用い、n側電極にはIn電極9を用いる。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板上に積層されたZnMgSSe系化合物半導体から成る第一導電型の第一のクラッド層と、上記第一のクラッド層上に積層された活性層と、上記活性層上に積層されたZnMgSSe系化合物半導体から成る第二導電型の第二のクラッド層とを有する半導体レーザーにおいて、上記化合物半導体基板と上記第一のクラッド層との間にZnSe系化合物半導体から成るバッファ層が設けられていることを特徴とする半導体レーザー。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

特開平2-196488
特開平4-199833
特開平4-199833

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