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J-GLOBAL ID：200903099015770890

光信号増幅器

Inventor： 西 俊弘 ,  中川 幸一 ,  高橋 志郎
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992104098
Publication number (International publication number)：1993283770
Application date： Mar. 31, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 大出力光源である多モード半導体レーザが利用でき、また信号光が伝搬する導波路の外側より励起光を入射する構造にもかかわらず、励起光強度が強く効率良く増幅できるようにする。【構成】 ガラス基板10上に形成される励起光を伝搬する矩形の光導波路12を第1の光導波路とし、この光導波路12内にレーザ発振あるいは光信号増幅機能を有するイオンとして稀土類イオンを含む第2の光導波路11を形成して、これら第1及び第2の光導波路11,12を分離した構造とする。そして、第1の光導波路12の一部に前記稀土類イオンを励起する励起光を入力する励起光入射ポート14を設ける。これによって、稀土類イオンを含む光導波路11を横励起により励起することで、信号光を効率良く増幅できる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された光導波路において、該光導波路を第1の光導波路とし、この第1の光導波路内にレーザ発振あるいは光信号増幅機能を有するイオンを含む第2の光導波路を有し、前記第1の光導波路に前記イオンを励起する励起光を入射するポート部分を少なくとも1箇所以上備え、かつ前記第1の光導波路の周囲に励起光波長における反射層もしくはクラッド層を備えてなることを特徴とする光信号増幅器。

IPC (5)：

H01S 3/07 ,  G02B 6/12 ,  G02F 1/35 501 ,  H01S 3/094 ,  H01S 3/17