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J-GLOBAL ID：200903099023073449
有機金属気相成長法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
箕浦 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992299366
Publication number (International publication number)：1994124908
Application date： Oct. 12, 1992
Publication date： May. 06, 1994
Summary：
【要約】【構成】 III -V族化合物半導体のIII 族元素の原料である1種以上のメチル系有機金属と、V族元素の原料である水素化物とを含む原料ガスを反応炉内に流し、その流れに略平行に設置した基板面上にIII -V族化合物半導体エピタキシャル層を成長させる有機金属気相成長法において、反応炉内を略常圧とし、V族原料とIII 族原料との供給量比([V族原料]/[III 族原料])を1以下として原料ガスの熱膨張を考慮しない平均流速を15cm/秒以上とし、さらに基板面を500°C以下に加熱することを特徴とする有機金属気相成長法。【効果】 従来設備をそのまま用いて容易に炭素(C)を高濃度に添加したGaAs等のIII -V族化合物半導体薄膜が得られるので高品質のHBT等が安価に作製できる。
Claim (excerpt)：
III -V族化合物半導体のIII 族元素の原料である1種以上のメチル系有機金属と、V族元素の原料である水素化物とを含む原料ガスを反応炉内に流し、その流れに略平行に設置した基板面上にIII -V族化合物半導体エピタキシャル層を成長させる有機金属気相成長法において、反応炉内を略常圧とし、V族原料とIII 族原料との供給量比([V族原料]/[III 族原料])を1以下として原料ガスの熱膨脹を考慮しない平均流速を15cm/秒以上とし、さらに基板面を 500°C以下に加熱することを特徴とする有機金属気相成長法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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