超磁歪材料

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：小松秀岳 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998217570
Publication number (International publication number)：2000054086
Application date： Jul. 31, 1998
Publication date： Feb. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】室温近傍で従来までの磁歪効果を越えるような大きな磁歪を有し、かつ等方的な磁歪を有する超磁歪材料を提供する。【解決手段】一般式:La(Fe1-XAX)13(ただし、AはAl,Si,Ga,Ge,Snのうち少なくとも1種の元素、0.05≦x≦0.2)、あるいはAの一部(0.1より小)をTM〔遷移金属元素(Co,Ni,Cu)〕で置換したもの、あるいはこれらのLaの一部(0.1以下)をRE(Laを除く希土類元素)で置換したもので、ミクロンオーダーの微小変位制御駆動部、強力音波発生用振動子、センサ等の構成材料として有用である。

Claim (excerpt)：

一般式:La(Fe1-XAX)13(ただし、AはAl,Si,Ga,Ge,Snのうち少なくとも1種の元素、xは原子比で0.05≦x≦0.2)で示される組成からなることを特徴とする超磁歪材料。

IPC (2)：

C22C 38/00 303 , H01L 41/20

FI (2)：

C22C 38/00 303 Z , H01L 41/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開昭59-145761
特開昭53-064798
特開昭58-003294

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