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J-GLOBAL ID：200903099044854106

配向膜の配向処理方法およびその装置

Inventor： 浅儀 典生 ,  桑原 創 ,  江原 泰蔵
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社 ,  株式会社イー・エッチ・シー
Agent (1)： 山本 惠二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996075272
Publication number (International publication number)：1997244024
Application date： Mar. 04, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 パーティクルの発生を減少させることができ、しかも大気中で処理可能な配向処理方法およびその装置を提供する。【解決手段】 この配向処理方法は、基板4上に形成された焼成済の配向膜6を、その転移温度付近までヒータ14によって加熱した後に室温付近まで冷却すると共に、少なくとも当該配向膜6が転移温度付近に加熱されているときから室温付近まで冷却されるまでの間、当該配向膜6にコイル16によって所定方向の磁界を印加する。18はその磁力線である。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されていて液晶分子を配向させるための焼成済の配向膜を、その転移温度付近まで加熱した後に室温付近まで冷却すると共に、少なくとも当該配向膜が転移温度付近に加熱されているときから室温付近まで冷却されるまでの間、当該配向膜に磁界を印加することを特徴とする配向膜の配向処理方法。