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J-GLOBAL ID：200903099057115191

半導体基板及び電界効果型トランジスタ並びにこれらの製造方法

Inventor： 水嶋 一樹
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 志賀 正武 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001186767
Publication number (International publication number)：2003007615
Application date： Jun. 20, 2001
Publication date： Jan. 10, 2003
Summary：

【要約】【課題】 半導体基板及び電界効果型トランジスタ並びにこれらの製造方法において、貫通転位密度が低く、表面ラフネスが小さなSiGe層を有すること。【解決手段】 Si基板1と、該Si基板上のSiGe層SGとを備え、前記Si基板表面近傍に、水素イオンあるいはヘリウムイオンが注入された注入領域1aを有する。

Claim (excerpt)：

Si基板と、該Si基板上のSiGe層とを備え、前記Si基板表面近傍に、水素イオンあるいはヘリウムイオンが注入された注入領域を有することを特徴とする半導体基板。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/78

FI (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 21/265 Q

F-Term (23)：

5F045AA06 ,  5F045AB01 ,  5F045AC01 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045DA58 ,  5F045HA05 ,  5F052EA15 ,  5F052GC03 ,  5F052HA06 ,  5F052JA01 ,  5F052JA09 ,  5F140AA00 ,  5F140AA01 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BC12 ,  5F140BC19 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-061350   Applicant：松下電工株式会社
• 特開平4-318918
  
• 化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-128535   Applicant：松下電工株式会社
• 歪シリコン電界効果トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-238755   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭59-002346
  
• 特開昭61-180447
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Substrate engineering by hydrogen or helium implantation for epitaxial growth of lattice mismatched