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J-GLOBAL ID：200903099059826788

有機金属錯体を用いる薄膜の製造法

Inventor： 赤瀬 真一郎 ,  石合 淳一 ,  坂本 陵 ,  小野 昌利 ,  中山 光明 ,  末宗 陽一
Applicant, Patent owner： 同和鉱業株式会社 ,  日本化学産業株式会社
Agent (1)： 丸岡 政彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993119120
Publication number (International publication number)：1994306609
Application date： Apr. 22, 1993
Publication date： Nov. 01, 1994
Summary：

【要約】【目的】 優れた電気的特性を有し、かつ再現性の良い均一な薄膜を容易に成膜することができる有機金属錯体を用いる薄膜の製造方法の提供。【構成】 まず、恒温槽3内にあって、1,3-ジケトン系有機金属錯体1(水の配位していないビス-ジピバロイルメタナトSr錯体)が1gが充填された原料容器2(SUS316製、 180°Cの恒温に保持)に、不活性キャリアーガス4(アルゴンガス)を、フローメーター5を経て流量を 200ml/min に調節して導入し、このガス4に上記有機金属錯体1を同伴、昇華させる。次いで、この有機金属錯体1を同伴、昇華させたガスを、熱分解炉6内に設けられ内部に基板9を載置した石英反応管7(ヒーター8によって 800°Cに加熱保持されている)に導入させ、基板9上への金属薄膜の成膜を行う(1時間)。

Claim (excerpt)：

気相成長法による薄膜の製造方法であって、アセチルアセトン、ジピバロイルメタン、ヘキサフルオロアセチルアセトンおよびジイソブチルメタンからなる群より選ばれる1,3-ジケトン系有機化合物と、バリウム、マグネシウム、カルシウムおよびストロンチウムからなる群より選ばれるIIA族金属との錯体を原料化合物として用いることを特徴とする有機金属錯体を用いる薄膜の製造法。

IPC (5)：

C23C 16/18 ,  C30B 25/02 ,  C07C 49/92 ,  C07F 3/00 ,  C08J 5/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-255508
  
• 特開平1-308804
  
• 特開平1-240664