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J-GLOBAL ID：200903099060881237

半導体多層反射膜

Inventor： 栗原 香
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 本庄 伸介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992040307
Publication number (International publication number)：1993206574
Application date： Jan. 29, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体多層反射膜のヘテロ界面に生じるポテンシャル障壁によるキャリアの走行の阻害をなくし電気抵抗を低減する。【構成】 バンドギャップエネルギーと屈折率とに関して互いに異なるn型GaAs層2とn型AlAs層3とが交互に20周回積層されており、それら層2と3とは媒質内の光の波長の4分の1の厚さである。層2と3との界面にn型GaAs/n型高濃度ドープAlAs超格子21が形成されている。

Claim (excerpt)：

バンドギャップエネルギーと屈折率とに関して互いに異なる同一導電型の2種類の半導体の層を、媒質内の光の波長の4分の1の厚さで交互に積層してなる半導体多層反射膜において、それらの2種類の半導体の層が接する界面に、該2種類の半導体からなる超格子を有し、該超格子においてバンドギャップの大きい方の半導体の領域に選択的に高濃度ドーピングが施されていることを特徴とする半導体多層反射膜。