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J-GLOBAL ID：200903099067811242

半導体装置

Inventor： 若田部 勝 ,  田中 貢 ,  九里 伸治
Applicant, Patent owner： 新電元工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991261132
Publication number (International publication number)：1993075098
Application date： Sep. 12, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 セルサイズに対する有効なチャネル幅の比を決定する順電流有効領域比を増大した順方向特性、逆方向特性及びスイッチング特性の優れた半導体装置を得ることを目的とする。【構成】 一導電型半導体1表面を凹凸5,6状とし、凸部6の上部に第1の逆導電型半導体領域2a、凸部の底部又は側部の一部を含む底部に第2の逆導電型半導体領域2bを形成し、第1と第2の領域がはさむ凸部の少なくとも一つの側部にショットキ3又はオ-ミック接触を形成する金属層を設けることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

一導電型半導体表面を凹凸状にするトレンチ溝を形成した半導体装置において、凸部の上部に第1の逆導電型半導体領域、凸部の底部又は側部の一部を含む底部に第2の逆導電型半導体領域を形成し、第1と第2の逆導電型半導体領域がはさむ凸部の少なくとも一つの側部にショットキ又はオ-ミック接触を形成する金属層を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/48 ,  H01L 29/91

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭60-227476
  
• 特開昭62-012169