ポジ型レジスト組成物

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：萩野平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999285761
Publication number (International publication number)：2001109153
Application date： Oct. 06, 1999
Publication date： Apr. 20, 2001
Summary：

【要約】【課題】高感度を有し、かつパターンのエッジラフネスが改良され、優れたレジストパターンプロファイルが得られる化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】特定の脂環式炭化水素を含む部分構造のうち少なくとも1つで保護されたアルカリ可溶性基を含み、且つモノマー成分の含有量がゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)の全パターン面積の5%以下である、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂と活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。

Claim (excerpt)：

(A)下記一般式(pI)〜一般式(pVI)で示される脂環式炭化水素を含む部分構造のうち少なくとも1つで保護されたアルカリ可溶性基を含み、且つモノマー成分の含有量がゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)の全パターン面積の5%以下である、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、【化1】(式中、R11は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基又はsec-ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。R12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしくはR15、R16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。R17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。R22〜R25は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R22〜R25のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。)(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (8)：

G03F 7/039 601 , C08F 2/06 , C08F 6/12 , C08F 20/10 , C08K 5/3492 , C08K 5/36 , C08L 33/04 , H01L 21/027

FI (8)：

G03F 7/039 601 , C08F 2/06 , C08F 6/12 , C08F 20/10 , C08K 5/3492 , C08K 5/36 , C08L 33/04 , H01L 21/30 502 R

F-Term (48)：

2H025AA01 , 2H025AA03 , 2H025AA04 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BJ05 , 2H025BJ10 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CB56 , 2H025FA17 , 4J002BG041 , 4J002BG051 , 4J002BG071 , 4J002EB116 , 4J002EU186 , 4J002EV296 , 4J002FD206 , 4J002GP03 , 4J011AA05 , 4J011HA03 , 4J011HB05 , 4J011HB06 , 4J011HB13 , 4J011HB22 , 4J100AJ02R , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AM21R , 4J100BA02R , 4J100BA03R , 4J100BA11R , 4J100BA15Q , 4J100BA55R , 4J100BA58R , 4J100BC23R , 4J100BC26P , 4J100BC52Q , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100DA28 , 4J100FA03 , 4J100GC07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (16)

ポジ型レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-120919 Applicant：富士写真フイルム株式会社
レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-277570 Applicant：富士通株式会社
レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-112698 Applicant：富士通株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Nanometer-scale imaging characteristics of novolac resin-based chemical amplification negative resis

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