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J-GLOBAL ID：200903099084109586

半導体トランジスタ

Inventor： 上野山 雄
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998274926
Publication number (International publication number)：2000106365
Application date： Sep. 29, 1998
Publication date： Apr. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 高耐圧低損失のパワー半導体トランジスタを提供する。【解決手段】 本発明の半導体トランジスタは、AlN分子を含んだ絶縁体膜を用いて、構成の単純な高性能パワー半導体トランジスタを実現するものである。具体的には、SiCによる導電層部に接して格子定数の近いAlN層またはその混晶、例えばAlGaN層をエピタキシャル成長させ、界面準位の少ない良好な界面を形成し、その上部に電流を制御する電極を設けた構造にする。このことによって、絶縁体下部には反転層によるチャネルが形成し、耐圧の高くかつ低損失なパワー半導体トランジスタを実現するものである。

Claim (excerpt)：

炭化シリコン層を導電層に含む半導体装置において、半導体装置の一部として用いられる絶縁体膜層に少なくともAlNを含んだ層を用いていることを特徴とする半導体トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 21/318 ,  H01L 29/16

FI (2)：

H01L 21/318 B ,  H01L 29/16

F-Term (8)：

5F058BA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BB01 ,  5F058BB06 ,  5F058BB10 ,  5F058BC09 ,  5F058BC20 ,  5F058BF06