半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：野河信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998067098
Publication number (International publication number)：1999266011
Application date： Mar. 17, 1998
Publication date： Sep. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】短チャネル効果及び逆短チャネル効果を抑制することを課題とする。【解決手段】ゲート絶縁膜3を介してゲート電極7が形成された半導体基板2上に第1導電型の不純物をイオン注入することによってLDD領域8を形成する工程と、ゲート電極7をマスクとして第2導電型の不純物をイオン注入することによりLDD領域8下部に第1反転層9aを形成する工程と、ゲート電極7をマスクとして第2導電型の不純物をイオン注入することによりゲート電極7側のLDD領域8の側部に第2反転層9bを形成する工程と、ゲート電極7の側壁にサイドウォールスペーサー11を形成する工程と、ゲート電極7及びサイドウォールスペーサー11をマスクとしてイオン注入することによりソース/ドレイン領域12を形成する工程とからなることを特徴とする製造方法により得られる半導体装置により上記課題を解決する。

Claim (excerpt)：

ゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成された半導体基板上に第1導電型の不純物をイオン注入することによってLDD領域を形成する工程と、ゲート電極をマスクとして第2導電型の不純物をイオン注入することによりLDD領域下部に第1反転層を形成する工程と、ゲート電極をマスクとして第2導電型の不純物をイオン注入することによりゲート電極側のLDD領域の側部に第2反転層を形成する工程と、ゲート電極の側壁にサイドウォールスペーサーを形成する工程と、ゲート電極及びサイドウォールスペーサーをマスクとしてイオン注入することによりソース/ドレイン領域を形成する工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/265 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (5)：

H01L 29/78 301 P , H01L 21/265 V , H01L 21/265 F , H01L 27/08 321 E , H01L 29/78 301 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

MIS型半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-307727 Applicant：株式会社日立製作所
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-286646 Applicant：シヤープ株式会社
特開昭61-191070

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