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J-GLOBAL ID：200903099090174772

中性粒子ビーム照射装置

Inventor： 西川 雅弘 ,  上田 良夫
Applicant, Patent owner： 西川 雅弘
Agent (1)： 岩越 重雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991216156
Publication number (International publication number)：1993041294
Application date： Jul. 31, 1991
Publication date： Feb. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】 低エネルギー領域(数Kev〜数百ev)の中性粒子ビームを照射する装置に於いて、中性粒子ビームの高輝度化を計ることにより超高温場の達成を可能とし、実際の周辺プラズマ条件に近い状態下で種々の材料に対する高熱負荷照射試験等を実施できるようにする。【構成】 アークチャンバーを備え、熱陰極アーク放電によりソースプラズマを生成するソースプラズマ生成部と;前記アークチャンバーの開口部に設けられ、ソースプラズマ中のイオンを中性化セル内へ引出すビーム引出し電極部とから成る中性粒子ビーム照射装置に於いて、前記ビーム引出し電極部を、所定の間隔を保持して並設した複数枚の電極孔を有する曲面状電極から構成する。

Claim (excerpt)：

アークチャンバーを備え、熱陰極アーク放電によりソースプラズマを生成するソースプラズマ生成部と;前記アークチャンバーの開口部に設けられ、ソースプラズマ中のイオンを中性化セル内へ引出すビーム引出し電極部とから成る中性粒子ビーム照射装置に於いて、前記ビーム引出し電極部を、所定の間隔を保持して並設した複数枚の電極孔を有する曲面状電極から構成したことを特徴とする中性粒子ビーム照射装置。

IPC (3)：

H05H 3/02 ,  H01J 37/08 ,  H05H 7/08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭57-163950
  
• 特開昭56-045600
  
• 特開昭57-191940
  
• 特開平3-225740