半導体記憶装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊丹勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998242258
Publication number (International publication number)：2000076880
Application date： Aug. 27, 1998
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】動作タイミングのズレによる誤動作が生じることなく、しかもチップ面積の増大を伴わない回路レイアウトを採用した半導体記憶装置を提供する。【解決手段】メモリセルアレイ1の奇数番目のブロックB1,B3,...のワード線を駆動するワード線ドライバ回路31a1,31a2,...はメモリセルアレイ1の左側に配置され、偶数番目のブロックB2,B4,...のワード線を駆動するワード線ドライバ回路31b1,31b2,...はメモリセルアレイ1の右側に配置される。各ワード線ドライバ回路に選択信号を供給するブロックアドレス選択回路32a1,32b1,32a2,32b2,...は、メモリセルアレイ1の左側にまとめて配置される。ブロックアドレス選択回路32b1,32b2,...の出力信号線はメモリセルアレイ1の領域上を通るスルー配線51として配設される。

Claim (excerpt)：

データを記憶するメモリセルが配置され、少なくとも第1及び第2の二つのブロックに分けられたメモリセルアレイと、このメモリセルアレイの第1のブロック内のワード線を選択駆動するためのワード線の一端側に配置された第1のワード線ドライバ回路と、前記メモリセルアレイの第2のブロック内のワード線を選択駆動するためのワード線の他端側に配置された第2のワード線ドライバ回路と、アドレス信号が入力して前記第1及び第2のワード線ドライバ回路にそれぞれブロック選択信号を供給するための、前記第1及び第2のワード線ドライバ回路のいずれか一方の側に配置された第1及び第2のアドレス選択回路と、を有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (6)：

G11C 16/06 , G11C 16/04 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4)：

G11C 17/00 633 A , G11C 17/00 622 E , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

F-Term (42)：

5B025AA01 , 5B025AB01 , 5B025AC01 , 5B025AD02 , 5B025AD03 , 5B025AE05 , 5B025AE08 , 5F001AA25 , 5F001AB08 , 5F001AB09 , 5F001AC02 , 5F001AD12 , 5F001AD41 , 5F001AD44 , 5F001AD51 , 5F001AD53 , 5F001AE01 , 5F001AE02 , 5F001AE08 , 5F001AE20 , 5F001AE30 , 5F001AE50 , 5F001AG40 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083ER03 , 5F083ER09 , 5F083ER14 , 5F083ER19 , 5F083ER22 , 5F083GA09 , 5F083GA30 , 5F083KA01 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083LA06 , 5F083LA08 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083LA20 , 5F083LA28 , 5F083ZA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

不揮発性半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-234515 Applicant：株式会社東芝
半導体集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-035325 Applicant：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-198840 Applicant：株式会社東芝

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