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J-GLOBAL ID：200903099094153052

プレーナドープ型FET用エピタキシャルウエハ

Inventor： 大村 雅一 ,  和田 次郎
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 平田 忠雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999307011
Publication number (International publication number)：2001127283
Application date： Oct. 28, 1999
Publication date： May. 11, 2001
Summary：

【要約】【課題】量産性に優れるMOVPE法により成長させたとき、高い電子移動度を示すプレーナドープ型FET用エピタキシャルウエハを提供する。【解決手段】半絶縁性基板1の上に、高抵抗バッフア層2、チャネル層3、スペーサ層4、不純物プレーナドープ層5、ショットキーコンタクト層7およびオーミックコンタクト層8を順に成長させたエピタキシャルウエハにおいて、不純物プレーナドープ層5に隣接して高Al混晶層6を形成する。

Claim (excerpt)：

半絶縁性基板上に有機金属気相成長法(MOVPE法)によって成長した複数の半導体層を有するプレーナドープ型FET用エピタキシャルウエハにおいて、前記半絶縁性基板上に形成されたバッフア層と、前記バッフア層上に形成されたチャネル層と、前記チャネル層上に形成されたスペーサ層と、前記スペーサ層上に形成された不純物プレーナドープ層と、前記不純物プレーナドープ層に隣接して形成されたAl混晶層より構成されることを特徴とするプレーナドープ型FET用エピタキシャルウエハ。

IPC (5)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (3)：

H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/80 H

F-Term (37)：

5F045AA04 ,  5F045AA15 ,  5F045AB09 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AF04 ,  5F045BB08 ,  5F045DA53 ,  5F045DA62 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GK06 ,  5F102GL04 ,  5F102GM06 ,  5F102GN06 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC04 ,  5F103AA05 ,  5F103DD03 ,  5F103DD05 ,  5F103DD06 ,  5F103HH03 ,  5F103JJ01 ,  5F103JJ03 ,  5F103KK01 ,  5F103KK04 ,  5F103KK06 ,  5F103KK08 ,  5F103LL07 ,  5F103RR01